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原標(biāo)題：半導(dǎo)體迎重磅利好：第三代材料站上風(fēng)口 概念股名單來(lái)了
來(lái)源：財(cái)聯(lián)社
財(cái)聯(lián)社9月4日訊，據(jù)媒體消息,，中國(guó)正在規(guī)劃將大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)入“十四五”規(guī)劃之中,。發(fā)展本國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)以應(yīng)對(duì)外部限制。
知情人士稱(chēng),，中國(guó)計(jì)劃在2021到2025年的五年之內(nèi),，在教育、科研,、開(kāi)發(fā),、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面對(duì)第三代半導(dǎo)體發(fā)展提供廣泛支持,。其稱(chēng),，下一個(gè)五年的經(jīng)濟(jì)戰(zhàn)略包括向無(wú)線網(wǎng)絡(luò)到人工智能等技術(shù)領(lǐng)域投入約1.4萬(wàn)億美元。
昨日下午,，受相關(guān)消息影響,，概念股乾照光電等相關(guān)標(biāo)的直線拉升。
世紀(jì)證券分析師陳建生稱(chēng),，第三代半導(dǎo)體材料是功率半導(dǎo)體躍進(jìn)的基石,。
相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料，第三代半導(dǎo)體材料，即寬禁帶半導(dǎo)體材料,，是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導(dǎo)體材料,，目前比較成熟的有碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等,。其更適合制造耐高溫,、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件,。
華創(chuàng)證券指出,，隨著物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動(dòng)的新計(jì)算時(shí)代的發(fā)展,，對(duì)半導(dǎo)體器件的需求日益增長(zhǎng),，對(duì)器件可靠性與性能指標(biāo)的要求也更加嚴(yán)苛。以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體開(kāi)始逐漸受到市場(chǎng)的重視,，國(guó)際上已形成完整的覆蓋材料,、器件、模塊和應(yīng)用等環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈,，全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級(jí)已經(jīng)開(kāi)始,。
第三代半導(dǎo)體相關(guān)專(zhuān)利申請(qǐng)自2000年以來(lái)快速增長(zhǎng)，美國(guó)早期領(lǐng)銜全球?qū)＠鲩L(zhǎng),，而近些年,，我國(guó)的申請(qǐng)量快速增長(zhǎng)，超越美國(guó),。英飛凌,、ST等全球功率半導(dǎo)體巨頭以及華潤(rùn)微、中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)功率廠商都重點(diǎn)布局在該領(lǐng)域的研究,。
為了發(fā)展功率半導(dǎo)體,，華為也開(kāi)啟了對(duì)第三代半導(dǎo)體材料的布局,。華為旗下的哈勃科技投資有限公司在2019年8月份投資了碳化硅龍頭山東天岳,，持股10%。
以下為財(cái)聯(lián)社聯(lián)合星礦數(shù)據(jù)梳理各機(jī)構(gòu)關(guān)于第三代半導(dǎo)體材料核心標(biāo)的,，其中碳化硅概念股包括臺(tái)基股份,、露笑科技，氮化鎵概念股包括海特高新,、揚(yáng)杰科技,、士蘭微、聞泰科技,、三安光電,、華潤(rùn)微等。
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責(zé)任編輯：張熠
